资讯编号：2026T-0261

5月19日，比利时微电子研究中心(IMEC)实现全球首次利用高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)制备集成量子硬件器件量子点量子比特器件，被视为量子比特迈向工业化规模生产的重要里程碑。硅量子点自旋量子比特将电子约束在硅纳米结构(栅极层)中，被约束电子的“自旋态”可用于存储量子信息。为降低环境噪声，各栅极间的间隙必须最小化。IMEC已制造出栅极间隙仅为6纳米的量子比特网络，理论上可在单芯片上集成数百万个量子比特。此前研究已证明互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容工艺可以实现低电荷噪声与稳定量子比特运行。引入High NA EUV技术后，量子比特研发从实验室单一样品演示，转向适配300毫米晶圆产线的可重复规模化制备。High NA EUV是支撑2纳米以下逻辑芯片、高密度存储芯片(助力AI与高性能计算发展)的关键技术，如今正成为量子计算硬件的核心基础技术之一。

本文摘自国外相关研究报道，文章内容不代表本网站观点和立场，仅供参考。