资讯编号：2026T-0232

英国剑桥大学牵头的一项国际研究开发出一种基于氧化给的新型忆阻器，有望将AI硬件能耗降低70%。研究团队在氧化铝中添加银和钛，并采用两步法生长薄膜，在氧化物界面处构建微型电子门(p-n结)。通过调节能垒高度平滑改变电阻，避免了依赖导电细丝生成与断裂所导致的高电压和随机性问题。该器件工作电流低至传统器件的百万分之一，可产生数百个稳定可区分的导电状态，并稳定承受数万次开关循环。该器件还成功模拟了生物神经元的脉冲时间依赖可塑性这一学习规则，展现出自适应学习潜力。研究成果3月20日发表于《科学进展》(Science Advances)。

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