资讯编号：2026T-0094

　　日本旭化成公司与名古屋大学合作研究团队成功在氮化铝(AIN)衬底上制备出了AIN/GaN(氮化镓)/AIN高电子迁移率晶体管(HEMT)。与基于GaN材料的HEMT相比，新开发的HEMT采用金属有机化合物气相外延(MOVPE)法改进了晶体生长条件，适用于大规模生产，在将耐压能力提高逾1倍的同时降低电阻，有望提升下一代通信和雷达系统(如6G、卫星通信和高性能雷达)高频、高输出器件的性能

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