资讯编号：2026T-0083

　　俄罗斯远东联邦大学与库尔恰托夫研究所国家研究中心研究人员合成了一种仅单原子层的二维交替磁体，为下一代自旋电子器件的研发提供了关键材料基础。交替磁体兼具铁磁体与反铁磁体的优势:既可产生强自旋极化信号，又不伴随外部杂散磁场，可有效避免对邻近纳米电子元件的干扰。研究团队在硅衬底上成功制备了基于稀土元素轧(Gd)的超薄膜，通过精确控制生长工艺，将材料厚度从数百原子层逐步缩减至单原子层。所得单层薄膜完整保留了交替磁体的核心磁学特性，并在二维极限下实现了创纪录的自旋信号强度。此外，研究人员还成功调控该材料的电子结构，分别获得了其金属态与半导体态，以满足不同应用场景对导电性能的需求。这一成果为开发更高密度、更低功耗、更稳定的磁存储器和自旋逻辑器件奠定了材料基础

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