资讯编号：2026T-0026

　　日本东北大学与德国于利希研究中心合作揭示了新型半导体材料锗锡(GeSn)量子阱结构的量子和自旋特性，为开发下一代自旋电子器件和量子计算技术奠定了关键基础。研究团队制备出了高质量的Ge/GeSn/Ge量子阱异质结构，使其能够在低温环境下进行精确的磁输运测量，首次系统获取了决定器件性能的“有效质量”等关键参数。该量子阱结构中的二维空穴气体迁移率达18200平方厘米/伏特秒，载流子有效质量低至0.061，9因子高达15。这些特性表明该材料同时具备高速信息处理、低能耗运行和高效自旋调控的能力，特别是其强自旋轨道相互作用，表明该材料体系能够通过外部电场有效控制自旋状态，这为实现高密度、低功耗的自旋电子器件创造了条件。研究成果发表于《通讯材料》(Communications Materials)。

　　本文摘自国外相关研究报道，文章内容不代表本网站观点和立场，仅供参考。